คุณสมบัติ: EEPROM แบบอนุกรม 1K X 1 พร้อมลอจิกความปลอดภัย

โซนแอปพลิเคชันสองโซนจัดเก็บและตรวจสอบรหัสความปลอดภัย สูงสุดสี่ครั้งในการพยายามใส่รหัสความปลอดภัยที่ไม่ถูกต้อง

ให้ความปลอดภัยตามรหัสการขนส่ง

การทำงานแรงดันไฟต่ำ: 2.7V ถึง 5.5V

ผลิตโดยใช้เทคโนโลยี CMos พลังงานต่ำ Vpp ที่สร้างภายใน 2 ไมโครวินาที เวลาเข้าถึงการอ่าน เวลาการเขียน 3 มิลลิวินาที-การป้องกัน ESD ขั้นต่ำ 4,000V ความน่าเชื่อถือสูง: รับประกันรอบโปรแกรม/ลบข้อมูล 100,000 รอบ

การเก็บรักษาข้อมูล 10 ปี