Tính năng: EEPROM nối tiếp 1K x 1 với logic bảo mật

Hai vùng ứng dụng lưu trữ và xác thực mã bảo mật. Tối đa bốn lần nhập mã bảo mật sai.

Cung cấp bảo mật mã vận chuyển

Hoạt động ở điện áp thấp: 2.7V đến 5.5V

Được sản xuất bằng công nghệ CMOS tiết kiệm điện năng, điện áp Vpp được tạo ra nội bộ, thời gian truy cập đọc 2 µs, thời gian chu kỳ ghi 3 ms..Bảo vệ chống tĩnh điện (ESD) tối thiểu 4000V. Độ tin cậy cao: Đảm bảo 100.000 chu kỳ ghi/xóa.

Thời gian lưu trữ dữ liệu: 10 năm