특징: 보안 로직이 내장된 1K x 1 직렬 EEPROM

두 개의 애플리케이션 영역에서 보안 코드를 저장하고 유효성을 검사합니다. 잘못된 보안 코드 입력 시도는 최대 네 번까지 허용됩니다.

전송 코드 보안을 제공합니다

저전압 작동: 2.7V ~ 5.5V

저전력 CMOS 기술을 사용하여 제조되었으며, Vpp는 내부적으로 생성되고 읽기 액세스 시간은 2μs, 쓰기 사이클 시간은 3ms입니다.。최소 4,000V의 ESD 보호 기능. 높은 신뢰성: 100,000회 프로그램/삭제 주기 보장

데이터 보존 기간 10년